从研究开发到工艺生产使用，从表面微细加工到表面处理改质，等离子设备有着非常广泛的社会应用需求。
等离子设备在半导体、电子材料干式清洗中的应用越来越广泛，如硅晶片的光刻胶剥离、除去有机膜、界面活性化、微细研磨、除去碳化膜等领域，YAMATO科学的等离子产品都发挥了积极作用。
YAMATO科学的等离子表面处理设备除了半导体相关的清洗用途外，在其他各种领域都有广泛应用。
等离子处理对其他各种粘接，涂层，镀膜等强度提高都有显著效果。
DP模式圆柱型 PR/PB系列
晶圆光刻胶的剥离、使用氧气或氩气进行有机膜的去除、表面活性化、微研磨或碳膜去除等广泛领域中使用。
RIE DP方式平行平板型 PDC/V系列
RIE/DP 2种模式的等离子处理，可以使用于硅晶圆的蚀刻、干洗、以及传感器等各种COB表面活性化处理，提高导线焊接的稳定性，金属氧化物、金属氢氧化物的蚀刻及去除电极表面的接合阻碍物。
圆柱型构造（DP）
控制面板
PLASMA SUPER CLEANER
IC封装技术
BGA(all Grid Array Package)
BGA型 LSI
BGA封装的等离子清洗效果
等离子装置的刻蚀及灰化方式
蚀刻
灰化
胶膜的灰化 
等离子装置的刻蚀及灰化方式
IC封装由陶瓷变为铸型树脂，导线从Ni、Ai变更为Cu。对于这些产品进步确实可以对应的等离子蚀刻·清洗技术。
Ar等离子去除金属氧化物（PDC/V/ISP系列）
基板的清洗（V系列/ISP型）
等离子蚀刻及灰化方式
有机膜去除
成型品离形剂
锡焊残渣
油·润滑脂（薄膜）
有机膜（播磨）
表面改质
聚酯
聚丙烯
特氟龙
陶瓷
聚酰亚胺
表面清洗
材料表面
表面蚀刻
玻璃环氧树脂
聚酰亚胺
金属氧化物去除
Cu 2 O,CuO
干法刻蚀
桶型
DP
化学蚀刻（各向同性）
平行平板
飞溅
物理蚀刻（各向异性）
测定数〔例〕
测定位置
硅晶片 8inch
平行平板电极 实验1
试料胶：硅晶片 8inch
胶：正片型
电极
平行平板电极 作业面Φ350 电极间距离60mm
RF功率
500W
处理时间
5分
气体流量
500sccm
压力
100Pa
作业面温度
180℃
测定位置
①
②
③
④
⑤
平均值
ini（A）
40290
40540
40930
40620
40670
40610
after（A）
18350
19980
15930
16150
16690
17420
ini-after（A ）
21940
20560
25000
24470
23980
23190
reta（A/min）
4388
4112
5000
4894
4796
4638
最大值
最小值
均一性
5000
4112
9.573092
平行平板电极 实验2
试料胶：硅晶片 8inch
胶：正片型
电极
平行平板电极 作业面Φ350 电极间距离60mm
RF功率
500W
处理时间
5分
气体流量
500sccm
压力
100Pa
作业面温度
160℃
测定位置
①
②
③
④
⑤
平均值
ini （A）
40450
40480
40820
40780
40560
40618
after（A）
25290
24780
24250
24640
23890
24570
ini-after（A）
15160
15700
16570
16140
16670
16048
reta（A/min）
3032
3140
3314
3228
3334
3209.6
最大值
最小值
均一性
3334
3032
4.704636
